VS-25ETS10S-M3
Vishay General Semiconductor - Diodes Division
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Integrierte schaltkreise (ICS)
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Diskrete Halbleiter-Produkte
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RF/if und RFID
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Optoelektronik
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Sensoren, Wandler
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Anschlüsse, Verbindungen
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- Solid State Lighting Steckverbinder(2295)
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- Rechteckige Verbinder-Kopfzeilen, männliche Pins(138439)
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Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-25ETS10S-M3
| Artikelnummer: | VS-25ETS10S-M3 |
|---|---|
| Hersteller / Marke: | Vishay General Semiconductor – Diodes Division |
| Teil der Beschreibung.: | DIODE GEN PURP 1KV 25A TO263AB |
| Datenblätte: |
|
| RoHs Status: | ROHS3 -konform |
| ECAD -Modell: | |
| Zahlungsmittel: | PayPal / Credit Card / T/T |
| Versandweg: | DHL / Fedex / TNT / UPS / EMS |
| Aktie: |
Ship From: Hong Kong
| Anzahl | Einzelpreis |
|---|---|
| 8000+ | $1.2022 |
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- Spezifikationen
- Einkaufshandbuch
- Versandinformationen
- Verpackung
-
Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-25ETS10S-M3 Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Texas Instruments VS-25ETS10S-M3.Produkteigenschaften Eigenschaften Spannung - Forward (Vf) (Max) @ If 1.14 V @ 25 A Spannung - Sperr (Vr) (max) 1000 V Technologie Standard Supplier Device-Gehäuse TO-263AB (D²PAK) Geschwindigkeit Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Serie - Verpackung / Gehäuse TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB Paket Tube Produkteigenschaften Eigenschaften Betriebstemperatur - Anschluss -40°C ~ 150°C Befestigungsart Surface Mount Strom - Sperrleckstrom @ Vr 100 µA @ 1000 V Strom - Richt (Io) 25A Kapazität @ Vr, F - Grundproduktnummer 25ETS10 VS-25ETS10S-M3 Einzelheiten PDF [English] VS-25ETS10S-M3 PDF - EN.pdf -
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